سوالاتی که در طراحی لامپ وال واش ال ای دی پرسیده می شود

Q1: تفاوت بین راندمان لومن یک LED و یک لامپ ساخته شده از چراغ های LED چیست؟

A: برای یک LED خاص، یک بایاس رو به جلو تعریف شده وجود دارد، مانند IF{0}}mA جریان رو به جلو (VF متناظر ≈ 3.4V)، و شار تابش اندازه‌گیری شده φ=1.2lm، سپس لومن اثر LED η=1.2LM × 1000/3.4V × 20mA=1200/68≈17.6LM/W است. بدیهی است که برای یک LED تک، به عنوان مثال، توان الکتریکی اعمال شده Pe=VF × IF، سپس شار تابش اندازه‌گیری شده در این توان به لومن در هر وات تبدیل می‌شود که اثر لومن یک LED است.

با این حال، به عنوان یک لامپ، بدون توجه به قدرت VF در اتصال LEDPN در واقعیت × IF چیست؟ توان الکتریکی لامپ همیشه درگاه ورودی لامپ است. این شامل مصرف برق بخش منبع تغذیه (مانند تنظیم کننده ولتاژ، تثبیت کننده ولتاژ، یکسو کننده AC به بخش منبع تغذیه DC و غیره) است. وجود مدار درایو در لامپ باعث می شود بازده لومن آن کمتر از LED منفرد مورد آزمایش باشد. هرچه مصرف مدار بیشتر باشد، اثر لومن کمتر است، بنابراین یافتن مدار راه انداز LED کارآمد بسیار مهم است.

Q2: دمای اتصال LED چقدر است؟ دمای اتصال بالا چه تاثیری بر LED دارد؟

A: ساختار پایه LED یک اتصال PN نیمه هادی است. هنگامی که جریان از طریق دستگاه LED عبور می کند، دمای اتصال PN افزایش می یابد. به طور دقیق، دمای ناحیه اتصال PN به عنوان دمای اتصال LED تعریف می شود. به طور کلی، به دلیل اینکه تراشه دستگاه بسیار کوچک است، می توانیم دمای تراشه LED را نیز به عنوان دمای اتصال در نظر بگیریم.چراغ شستشوی دیواری ال ای دیقیمت

هنگامی که دمای اتصال PN (مانند دمای پوسته) افزایش می‌یابد، یونیزاسیون ناخالصی‌ها در اتصال PN تسریع می‌شود و تحریک ذاتی تسریع می‌شود. هنگامی که غلظت حامل های کامپوزیت تولید شده توسط تحریک ذاتی بسیار بیشتر از غلظت ناخالصی ها باشد، با کاهش نرخ مهاجرت، تأثیر افزایش تعداد حامل های ذاتی جدی تر از انتقال مقاومت نیمه هادی است که منجر به اثر کوانتومی داخلی افزایش دما منجر به کاهش مقاومت می شود که منجر به کاهش VF در همان شرایط فرکانس متوسط ​​می شود. LED هدایت شده توسط منبع جریان ثابت IF حذف نشده است. کاهش VF باعث افزایش شاخص IF می شود. این فرآیند دمای اتصال LEDPN را دو برابر می کند و در نهایت افزایش دما دمای اتصال بزرگ را در بر می گیرد و منجر به اثر خاموش LEDPN می شود. این یک فرآیند بدخیم بازخورد مثبت است. قیمت ازچراغ شستشوی دیواری در فضای باز

افزایش دما در اتصال PN باعث می‌شود که فرآیند انتشار فوتون واکنش نوترکیبی الکترون/حفره برانگیخته در پیوند PN نیمه‌رسانا از سطح انرژی بالا به سطح انرژی پایین تبدیل شود. این به این دلیل است که وقتی دما در اتصال PN افزایش می یابد، دامنه شبکه نیمه هادی افزایش می یابد و در نتیجه انرژی ارتعاش افزایش می یابد. وقتی از مقدار لازم فراتر رفت، الکترون/حفره با اتم شبکه (یا یون) انرژی مبادله می کند و از حالت برانگیخته به حالت پایه منتقل می شود، بنابراین تبدیل به یک انتقال بدون تابش فوتون می شود و عملکرد نوری LED خواهد شد. کاهش می یابد.

علاوه بر این، دمای اتصال PN همچنین می تواند باعث یونیزاسیون ناخالصی ها در یون های ناخالصی نیمه هادی میدان شبکه شود و باعث شکافت افقی یون ها شود که تحت تأثیر دمای اتصال PN پایدار است، به این معنی که شبکه ارتعاش به دلیل تأثیر دما، تقارن شبکه، سطوح انرژی ماشه و طیف انتقال الکترونیکی را تغییر می دهد، به همین دلیل است که طول موج نور LED با افزایش دمای اتصال PN تغییر می کند.

در نتیجه، افزایش دمای اتصال LEN PN منجر به تغییر عملکردهای الکتریکی، نوری و حرارتی آن می شود. افزایش بیش از حد دما همچنین خواص فیزیکی مواد بسته بندی LED (مانند رزین اپوکسی، فسفر و غیره) را تغییر می دهد و منجر به خرابی LED می شود. بنابراین، کاهش افزایش دمای اتصال PN نکته کلیدی برای استفاده از LED است.

Q3: خرد کردن الکترواستاتیک چیست؟ چه نوع LED به راحتی توسط الکتریسیته ساکن آسیب می بیند و باعث خرابی می شود؟

پاسخ: الکتریسیته الکترواستاتیک در واقع از تجمع بار تشکیل شده است. در زندگی روزمره، به ویژه در آب و هوای خشک، افراد هنگام دست زدن به درها و پنجره ها احساس «شوک الکتریکی» می کنند که «تخلیه» الکتریسیته ساکن انباشته شده در درها و پنجره ها تا حد معینی است. برای پارچه های پشمی و محصولات الیاف شیمیایی نایلونی، ولتاژ تجمع الکتریسیته ساکن می تواند تا 10000 ولت باشد. ولتاژ بسیار بالا است، اما قدرت الکتریسیته ساکن زیاد نیست، که زندگی را تهدید نمی کند، بلکه حتی زندگی را تهدید می کند. با این حال، برخی از تجهیزات الکترونیکی باعث کاهش تجهیزات می شوند.